Transistor hiệu ứng trường
Nov 05, 2019| Luôn sạc an toàn với SChitec
Transistor hiệu ứng trường
Ý nghĩa của "hiệu ứng trường" là nguyên lý hoạt động của bóng bán dẫn này dựa trên hiệu ứng điện trường của chất bán dẫn.
Transitor hiệu ứng trường Một bóng bán dẫn hoạt động theo nguyên tắc hiệu ứng trường. Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường lần lượt chứa hai loại chính: FET nối (JFE) và FET bán dẫn oxit kim loại (MOS-FET). Không giống như BJT, FET chỉ dẫn điện bởi một loại sóng mang (các sóng mang đa số) và do đó còn được gọi là bóng bán dẫn đơn cực. Nó thuộc về một thiết bị bán dẫn được điều khiển bằng điện áp và có ưu điểm là điện trở đầu vào cao, độ ồn thấp, tiêu thụ điện năng thấp, dải động lớn, tích hợp dễ dàng, không có sự cố thứ cấp và khu vực làm việc an toàn rộng.
Hiệu ứng trường là làm thay đổi hướng hoặc cường độ của điện trường đặt vào vuông góc với bề mặt chất bán dẫn để điều khiển mật độ hoặc loại hạt tải điện đa số trong lớp dẫn điện bán dẫn (kênh). Đó là dòng điện được điều chế điện áp trong kênh có dòng điện hoạt động được vận chuyển bởi các hạt tải điện đa số trong chất bán dẫn. Một bóng bán dẫn như vậy trong đó chỉ có một loại chất mang cực tham gia dẫn điện cũng được gọi là bóng bán dẫn đơn cực. So với bóng bán dẫn lưỡng cực, bóng bán dẫn hiệu ứng trường có đặc điểm là trở kháng đầu vào cao, độ ồn thấp, tần số giới hạn cao, tiêu thụ điện năng thấp, quy trình sản xuất đơn giản và đặc tính nhiệt độ tốt. Chúng được sử dụng rộng rãi trong các mạch khuếch đại, mạch kỹ thuật số và mạch vi sóng khác nhau. Chờ đợi. Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit (MOSFET) kim loại gốc silicon và các bóng bán dẫn hiệu ứng trường rào cản Schottky (MESFET) dựa trên gali arsenide là hai bóng bán dẫn hiệu ứng trường quan trọng nhất. Chúng là các thiết bị cơ bản của mạch tích hợp tốc độ cực cao MOS LSI và MES.